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155단 낸드 채널 결정 정렬 기술 확보
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155단 낸드 채널 결정 정렬로 저항 낮춘다
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삼성 차세대 메모리 기술, 국제무대서 2관왕
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삼성, FMS 2026서 초고층 낸드·PIM 기술 수상
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삼성, FMS서 V낸드·저전력 PIM 기술력 입증
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삼성, 400단 V낸드·PIM 기술로 FMS 2관왕
기술1분
삼성, 초고적층·연산형 메모리로 FMS 2개 부문 수상
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삼성전자, 차세대 메모리 기술로 국제상 2관왕
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400단 V낸드·PIM 기술, FMS 2026 2관왕
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삼성 차세대 낸드·PIM, FMS 혁신상 수상
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400단 V낸드·연산 D램, FMS서 기술상
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삼성 V10 낸드·LPDDR5X-PIM, FMS 혁신상 석권
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삼성, AI 병목 겨냥한 수직적층 메모리 제시
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삼성, GPU 직결 3D 메모리 ‘zHBM’ 공개
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삼성전자, AI 가속기 위에 쌓는 zHBM 첫 공개
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AI 가속기 위로 올라간 HBM…삼성, 3차원 승부수
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