삼성, 초고적층·연산형 메모리로 FMS 2개 부문 수상

삼성전자가 세계 최대 메모리·스토리지 기술 행사인 ‘FMS 2026’의 ‘베스트 오브 쇼 어워드’에서 두 개 부문을 수상했다. 400단 이상 초고적층 구조를 구현한 V10 BV-낸드는 ‘3D 낸드 혁신상’을 받았고, 메모리 내부에 연산 기능을 결합한 LPDDR5X-PIM은 ‘차세대 메모리상’에 선정됐다. 두 기술은 인공지능 시대에 요구되는 저장 용량과 연산 효율을 각각 끌어올린 점에서 혁신성을 인정받았다.

V10 BV-낸드는 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장하도록 설계된 차세대 V-낸드 기술이다. 삼성전자는 웨이퍼를 수직으로 접합하는 BV 기술과 V-낸드 셀을 세 개 층으로 나눠 연결하는 3스택 기술을 결합해 400단 이상의 구조를 완성했다. 저장 밀도를 높이는 동시에 전력 소비와 발열을 줄여 성능과 운영 효율을 함께 개선했으며, 급증하는 AI 데이터 저장 수요에 대응할 기술로 평가받았다.

LPDDR5X-PIM은 삼성전자가 세계 최초로 LPDDR5X에 PIM 기술을 적용한 차세대 메모리 제품이다. 데이터를 프로세서로 모두 옮기지 않고 메모리 안에서 직접 연산한 뒤 필요한 결과만 전달하도록 설계됐다. 시스템 내부의 데이터 이동량을 줄여 성능과 전력 효율을 동시에 높일 수 있으며, 저전력과 고성능이 모두 필요한 AI 가속기와 고성능 컴퓨팅 분야에서 활용 가능성이 제시됐다.

이번 수상으로 삼성전자는 초고적층 낸드와 연산형 저전력 메모리 분야의 기술 경쟁력을 함께 확인했다. 삼성전자는 현지시간 6일까지 열리는 FMS 2026에서 차세대 메모리 로드맵을 비롯해 AI 메모리 솔루션과 차세대 스토리지 기술을 선보인다. 행사 기간 글로벌 고객과 업계를 대상으로 미래 기술 비전을 제시하고, AI 시대를 겨냥한 메모리 기술 리더십을 강화한다는 계획이다.