삼성 차세대 낸드·PIM, FMS 혁신상 수상

삼성전자가 세계적인 메모리 기술 콘퍼런스인 ‘FMS 2026’에서 차세대 메모리 기술로 2개 부문을 수상했다. 400단 이상으로 적층한 ‘V10 BV-낸드’는 3D 낸드 혁신상을 받았고, 저전력 D램과 데이터 연산 기술을 결합한 ‘LPDDR5X-PIM’은 차세대 메모리상에 선정됐다.

V10 BV-낸드는 웨이퍼를 수직으로 접합하는 본딩 버티컬 기술과 V낸드 셀을 3개 층으로 연결하는 3-스택 구조를 적용한 차세대 V낸드 기술이다. 초고적층 구조를 통해 저장 용량을 확대하면서 전력 소비와 발열을 함께 줄이도록 설계된 점이 핵심 특징이다.

LPDDR5X-PIM은 저전력 D램인 LPDDR5X에 프로세싱 인 메모리 기술을 세계 최초로 적용한 차세대 제품이다. 메모리에서 데이터를 직접 연산한 뒤 필요한 결과만 프로세서로 전달해 시스템 내부의 데이터 이동을 최소화하고, 성능과 전력 효율을 높이는 동시에 인공지능 연산 과정의 병목 현상을 줄였다.

두 기술은 고용량·저전력 저장장치와 인공지능 연산 효율을 각각 강화한다는 점에서 차세대 메모리 기술의 방향을 보여준다. LPDDR5X-PIM은 AI 가속기와 고성능컴퓨팅 등에 활용될 핵심 기술로 평가된다. 삼성전자는 현지시간 6일까지 열리는 행사에서 차세대 메모리 로드맵과 AI 메모리 설루션, 차세대 스토리지 기술도 선보일 예정이다.