400단 V낸드·PIM 기술, FMS 2026 2관왕

삼성전자가 세계적인 메모리 기술 콘퍼런스 ‘FMS 2026’ 기간에 열린 FMS 어워드에서 차세대 메모리 기술로 2개 부문을 수상했다. 400단 이상 초고적층 구조를 구현한 ‘V10 BV-낸드(NAND)’가 3D 낸드 혁신상을 받았고, 저전력 D램과 메모리 내부 연산 기술을 결합한 ‘LPDDR5X-PIM’은 차세대 메모리상에 선정됐다.

V10 BV-낸드는 웨이퍼를 수직으로 접합하는 본딩 버티컬(BV·Bonding Vertical) 기술과 V낸드 셀을 3개 층으로 연결하는 3-스택 구조를 적용한 차세대 V낸드 기술이다. 전 세대 제품인 V9과 비교해 저장 용량을 확대하면서 전력 소비와 발열을 낮춘 점이 특징이다. 초고적층과 용량 확대, 전력 효율 개선을 함께 구현한 기술적 성과가 이번 수상으로 이어졌다.

LPDDR5X-PIM은 저전력 D램인 LPDDR5X에 PIM(프로세싱 인 메모리) 기술을 세계 최초로 적용한 차세대 메모리 제품이다. 메모리 내부에서 연산을 직접 처리해 데이터 이동을 최소화하고, 이를 통해 성능과 전력 효율을 높이도록 설계됐다. 인공지능 가속기와 고성능컴퓨팅(HPC) 등에 활용될 핵심 기술로 평가받으며 차세대 메모리 부문 수상작에 이름을 올렸다.

이번 2개 부문 수상은 삼성전자가 고용량·저전력 저장장치와 AI 연산용 메모리 양쪽에서 개발한 차세대 기술을 동시에 인정받았다는 의미를 갖는다. 삼성전자는 현지시간 6일까지 열리는 FMS 2026에서 차세대 메모리 로드맵을 비롯해 AI 메모리 설루션과 차세대 스토리지 기술을 선보일 계획이다. 수상 기술과 함께 향후 메모리 제품 및 설루션의 전개 방향도 행사에서 제시한다.