삼성, FMS 2026서 초고층 낸드·PIM 기술 수상

삼성전자가 세계 최대 메모리 기술 콘퍼런스인 ‘FMS 2026’에서 차세대 낸드플래시와 인공지능용 메모리 기술로 2개 부문을 수상했다. 삼성전자는 6일 ‘V10 BV-낸드’가 3D 낸드 혁신상을, ‘LPDDR5X-PIM’이 차세대 메모리상을 각각 받았다고 밝혔다. 초고적층 저장 기술과 메모리 내부 연산 기술이 나란히 수상 대상으로 선정됐다.

V10 BV-낸드는 400단이 넘는 초고적층 구조를 구현한 차세대 V낸드 기술이다. 웨이퍼를 수직 방향으로 접합하는 본딩 버티컬 기술과 V낸드 셀을 세 개 층으로 이어 붙이는 3스택 구조가 적용됐다. 이를 통해 저장 용량을 확대하는 동시에 전력 소비와 발열을 낮추도록 설계한 점이 핵심이다.

LPDDR5X-PIM은 저전력 D램인 LPDDR5X에 프로세싱 인 메모리 기술을 세계 최초로 적용한 제품이다. 기존처럼 연산을 위해 데이터를 외부 처리 장치로 계속 옮기는 대신 메모리 내부에서 직접 계산을 수행한다. 데이터 이동량을 줄여 처리 성능과 전력 효율을 함께 높이는 구조로, AI 연산 환경에 필요한 메모리 기술을 구현했다.

두 제품은 각각 저장 구조와 연산 방식에서 서로 다른 혁신을 보여준다. V10 BV-낸드는 고용량과 저전력·저발열을 동시에 겨냥했고, LPDDR5X-PIM은 내부 연산으로 데이터 이동을 최소화하는 데 초점을 맞췄다. 특히 LPDDR5X-PIM은 인공지능 가속기와 고성능컴퓨팅 분야의 핵심 메모리 기술로 주목받으며 차세대 메모리상을 받았다.