삼성전자, 차세대 메모리 기술로 국제상 2관왕

삼성전자가 미국 캘리포니아에서 열린 연례 국제 반도체 행사 ‘퓨처 오브 메모리 앤드 스토리지 2026’에서 차세대 메모리 기술로 2개 부문을 수상했다. 초고단 낸드플래시 기술인 V10 BV-NAND는 ‘3D·NAND 혁신상’을, 저전력 D램에 연산 기능을 결합한 LPDDR5X-PIM은 ‘차세대 메모리상’을 각각 받았다.

V10 BV-NAND는 400단이 넘는 초고단 구조를 갖춘 삼성전자의 차세대 V낸드 기술이다. 웨이퍼를 수직으로 접합하는 본딩 버티컬 기술과 세 개 층에 걸친 V낸드 셀을 연결하는 3스택 구조를 함께 적용했다. 이를 통해 저장 용량을 확대하는 동시에 전력 소비와 발열을 줄이도록 설계한 점이 핵심이다.

LPDDR5X-PIM은 LPDDR5X 메모리에 PIM 기술을 통합한 세계 최초의 저전력 D램 제품이다. 메모리 내부에서 데이터를 직접 처리할 수 있어 메모리와 연산 장치 사이를 오가는 데이터 이동량을 최소화한다. 데이터 전송 부담을 덜어 처리 성능을 높이고 전력 효율도 함께 개선하는 구조다.

두 기술은 저장장치의 고용량·저전력 구현과 메모리 중심 연산이라는 서로 다른 방향의 기술 진전을 보여준다. 특히 LPDDR5X-PIM은 성능과 전력 효율이 함께 요구되는 인공지능 가속기와 고성능컴퓨팅 시스템에서 핵심 역할을 할 것으로 예상된다. 이번 수상은 삼성전자의 차세대 낸드와 D램 기술이 국제 행사에서 동시에 인정받았다는 데 의미가 있다.