삼성, 400단 V낸드·PIM 기술로 FMS 2관왕

삼성전자가 세계적인 메모리 기술 행사인 ‘FMS 2026’에서 차세대 낸드플래시와 인공지능 메모리 기술로 2개 상을 받았다. 삼성전자는 행사 기간 열린 FMS 어워드에서 ‘V10 BV-낸드’로 3D 낸드 혁신상을, ‘LPDDR5X-PIM’으로 차세대 메모리상을 각각 수상했다고 6일 밝혔다.

V10 BV-낸드는 셀을 400단 이상 적층한 차세대 V낸드 기술이다. 웨이퍼를 수직으로 접합하는 ‘본딩 버티컬’ 기술과 V낸드 셀을 세 개 층으로 연결한 3-스택 구조를 적용했다. 제한된 면적에 더 많은 데이터를 저장하는 동시에 전력 소비와 발열을 낮춰 고용량과 전력효율을 함께 끌어올린 것이 특징이다.

LPDDR5X-PIM은 저전력 D램인 LPDDR5X에 메모리 내부에서 연산을 수행하는 ‘프로세싱 인 메모리’ 기술을 결합한 제품이다. 데이터를 외부 프로세서로 반복해서 옮기지 않고 메모리 안에서 직접 처리하도록 설계해 데이터 이동량과 전력 소모를 줄일 수 있다. 대규모 데이터를 다루는 AI 가속기와 고성능컴퓨팅 시스템의 성능 및 전력효율을 높이는 용도로 활용될 수 있다.

두 기술은 메모리의 용량과 연산 성능을 높이면서 전력 부담을 낮추는 방향을 각각 낸드플래시와 D램에서 구현했다. 낸드 적층 수가 늘어날수록 공정 난도가 높아지는 상황에서 V10 BV-낸드는 적층·접합 구조로 효율을 확보했고, LPDDR5X-PIM은 데이터 이동을 줄이는 방식으로 AI 연산 효율 개선을 겨냥했다. 삼성전자는 현지시간 6일까지 열리는 FMS 2026에서 차세대 메모리 로드맵과 AI 메모리 솔루션, 차세대 스토리지 기술을 선보일 예정이다.