삼성 V10 낸드·LPDDR5X-PIM, FMS 혁신상 석권
핵심 요약
삼성전자 V10 BV-NAND와 LPDDR5X-PIM이 FMS 2026에서 각각 혁신상을 받았다. V10 낸드는 400단 이상 적층 구조를, LPDDR5X-PIM은 메모리 내부 연산 기능을 구현했다. 삼성전자는 글로벌 빅테크에 차세대 메모리 로드맵을 제시하고 공급 협력을 강화할 계획이다.
삼성전자의 차세대 메모리 제품 2종이 4일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개막한 세계 최대 규모 반도체 전시회 ‘FMS 2026’의 공식 시상식에서 각각 수상했다. 400단 이상을 구현한 ‘V10 BV-NAND’는 3D & 낸드 혁신상을, 연산 기능을 내장한 저전력 D램 ‘LPDDR5X-PIM’은 차세대 메모리상을 받았다.
10세대 V낸드인 V10 BV-NAND는 웨이퍼를 수직으로 결합하는 웨이퍼 본딩 기술과 셀을 3개 층으로 나눠 연결하는 3스택 기술을 적용한 제품이다. 초고적층 구조를 통해 같은 반도체 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있도록 설계했으며, 전력 소비와 발열도 크게 낮췄다. 시상식에는 이진엽 삼성전자 플래시개발실 부사장이 참석해 상을 받았다.
LPDDR5X-PIM은 데이터를 보관하는 메모리 안에 연산 기능을 더한 D램이다. 기존 방식은 저장된 데이터를 중앙처리장치나 그래픽처리장치로 옮겨 계산하는 과정에서 병목이 생기지만, 이 제품은 메모리 내부에서 직접 연산한 뒤 필요한 결과만 프로세서로 전달한다. 처리 속도를 높이는 동시에 전력 소모를 줄일 수 있으며, 김경륜 삼성전자 D램개발실 상무가 차세대 메모리상을 수상했다.
LPDDR5X-PIM은 저전력과 고성능이 요구되는 AI 가속기와 고성능 컴퓨팅 분야에서 활용 가능성이 제시됐다. 삼성전자는 이번 수상을 계기로 차세대 메모리 기술 경쟁력을 부각하고, 행사 기간 글로벌 대형 정보기술 기업 고객사에 향후 메모리 로드맵을 소개할 계획이다. 이를 바탕으로 AI 시대를 겨냥한 차세대 반도체 공급 협력도 강화한다는 방침이다.