삼성 차세대 메모리 기술, 국제무대서 2관왕

삼성전자가 6일 미국 캘리포니아에서 열린 ‘퓨처 오브 메모리 앤드 스토리지 2026’에서 차세대 메모리 기술로 2개 부문을 수상했다. 400단이 넘는 초고적층 낸드 기술 ‘V10 BV-NAND’는 3D·낸드 혁신상을, 저전력 D램에 연산 기능을 결합한 ‘LPDDR5X-PIM’은 차세대 메모리상을 각각 받았다.

V10 BV-NAND는 웨이퍼를 수직으로 접합하는 본딩 버티컬 기술과 세 층에 걸친 V낸드 셀을 연결하는 3스택 구조가 핵심이다. 삼성전자는 400단을 웃도는 초고적층 구조에 두 기술을 적용해 저장 용량을 확대하면서도 전력 소비와 열 발생을 줄이는 방향으로 차세대 V낸드를 설계했다.

LPDDR5X-PIM은 LPDDR5X 메모리에 PIM, 즉 메모리 내부 연산 기술을 통합한 세계 최초의 저전력 D램 제품이다. 기존처럼 메모리와 연산 장치 사이에서 데이터를 반복해 이동시키는 대신 메모리 안에서 데이터를 직접 처리해 이동량을 최소화하며, 이를 통해 처리 성능과 전력 효율을 함께 높인다.

이번 수상은 고용량 낸드와 저전력 연산 메모리라는 서로 다른 차세대 기술이 동시에 인정받았다는 데 의미가 있다. V10 BV-NAND는 적층·접합 구조를 통해 용량과 전력, 발열 문제를 함께 다루고 있으며, LPDDR5X-PIM은 데이터 이동을 줄이는 방식으로 인공지능 가속기와 고성능 컴퓨팅 시스템에서 핵심 역할을 할 기술로 기대되고 있다.