삼성, FMS서 V낸드·저전력 PIM 기술력 입증

삼성전자가 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 세계 최대 메모리·스토리지 컨퍼런스 ‘FMS 2026’의 ‘Best of Show Awards’에서 2개 부문을 수상했다. 차세대 기술인 ‘V10 BV-낸드’가 3D 낸드 혁신상을, ‘LPDDR5X-PIM’이 차세대 메모리상을 각각 받으며 낸드플래시와 D램 분야에서 동시에 성과를 냈다.

V10 BV-낸드는 400단 이상의 초고적층 구조를 구현한 차세대 V낸드 기술이다. 웨이퍼를 수직으로 접합하는 본딩 버티컬 기술과 V낸드 셀을 세 개 층으로 연결하는 3-스택 구조를 적용했다. 이를 통해 이전 세대인 V9보다 메모리 밀도를 약 58% 높였으며, 읽기·쓰기 성능과 전력 효율도 함께 개선해 급증하는 AI 데이터 저장 수요에 대응할 기반을 마련했다.

LPDDR5X-PIM은 저전력 D램 LPDDR5X에 프로세싱 인 메모리 기술을 세계 최초로 적용한 제품이다. 메모리 내부에서 직접 연산을 처리하고 그 결과만 프로세서에 전달하도록 설계해 시스템 안에서 오가는 데이터의 양을 최소화했다. 데이터 이동 부담을 줄여 성능과 전력 효율을 동시에 끌어올린 만큼 AI 가속기와 고성능 컴퓨팅처럼 저전력·고성능이 필요한 분야에서 활용될 것으로 기대된다.

이번 수상으로 삼성전자는 고집적 저장 기술과 메모리 내 연산 기술을 나란히 선보이며 AI 시대의 저장 용량, 처리 성능, 전력 효율 요구에 대응하는 차세대 메모리 방향을 제시했다. 삼성전자는 현지시간 6일까지 이어지는 FMS 2026 행사에서 차세대 메모리 로드맵을 비롯해 AI 메모리 솔루션과 차세대 스토리지 기술을 추가로 공개할 예정이다.