중국산 침지형 DUV 노광장비 양산, ASML 추격까지 3~10년 전망

중국이 자체 개발한 침지형 심자외선(DUV) 노광장비의 양산 소식이 전해지면서 글로벌 반도체 업계의 관심이 집중되고 있다. 미국의 첨단 반도체 장비 수출 규제 속에서 중국이 돌파구를 마련했다는 평가가 나오는 가운데, 전문가들은 ASML과의 기술 격차를 해소하는 데 3년에서 10년까지 걸릴 것이라는 전망을 내놓고 있다.

싱가포르 매체 연합조보는 29일 중국의 침지형 DUV 반도체 양산이 미국의 대중국 견제 전략 실패를 보여주는 신호라고 전문가를 인용해 보도했다. 푸팡첸 싱가포르 경영대 교수는 이 소식이 사실이라면 중국이 핵심 기술 과제를 해결하고 미국의 압박을 극복하는 획기적인 돌파구가 될 것이라고 평가했다. 다만 그는 신규 장비가 여러 테스트와 품질 개선을 거쳐야 하며 ASML을 따라잡는 데 3~4년이 걸릴 것이라고 내다봤다. 장판 어드밴티지 리서치 컨설팅 공동 창립자는 중국의 1세대 DUV가 ASML 기존 제품만큼 우수하지는 않지만 기반이 마련됐다며 7나노미터 기술 돌파는 시간 문제라고 말했다.

로이터통신은 28일 상하이 국영기업 아이성나전자기술그룹이 침지형 DUV 노광장비 양산에 돌입해 올해 5대를 출하할 계획이라고 보도했다. 미국 기술매체 더 인포메이션은 올해 5대, 내년 20대를 생산해 화훙, CXMT 등 중국 반도체 기업에 납품할 예정이라고 전했다. 노광장비는 반도체 제조에서 빛으로 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 장비로, 침지형 DUV는 렌즈와 웨이퍼 사이에 물을 채워 해상도를 높인 방식이다. 중국은 미국의 규제로 ASML 최신 장비 수입이 막히자 자체 개발에 나섰으며, EUV 장비는 아직 시제품 단계다.

블룸버그 통신은 중국의 DUV 장비가 일부 핵심 부품을 일본에서 수입하기 때문에 더 오랜 시간이 걸릴 것이라고 보도했다. 블룸버그 인텔리전스의 마사히로 와카스기 애널리스트는 중국이 ASML과의 기술 격차를 완전히 해소하는 데 7년에서 10년이 걸릴 수 있으며, 외국산 장비 교체에는 더 오랜 시간이 걸릴 수 있다고 예측했다. 한편 중국의 부품 교체가 지연되는 사이 ASML의 특허 침해 소송과 미국의 추가 수출 규제가 생산을 지연시킬 것이라는 관측도 나온다. 이 소식이 전해진 직후 ASML 주가는 11% 하락했고, 일본의 라저텍과 니콘 주가도 각각 14%, 11% 떨어졌다.