용인 D램·청주 낸드 생산기지 동시 확충

SK하이닉스가 용인과 청주에 신규 반도체 생산시설을 구축하는 54조원 규모의 투자안을 확정했다. 회사는 7일 이사회를 열어 용인 반도체 클러스터의 두 번째 팹 ‘Y2’에 35조2000억원, 청주 ‘M17’에 19조1000억원을 각각 투입하기로 의결했다. 호남 반도체 클러스터를 포함해 지난 6월 공개한 중장기 투자 계획의 후속 팹 규모와 건설 일정을 구체화한 조치다.

Y2는 연면적 34만1000평, 약 112만7000㎡ 규모의 D램 생산시설로 조성된다. 내년 7월 공사를 시작해 2029년 6월 첫 번째 클린룸을 열고, HBM을 포함한 차세대 D램을 생산할 예정이다. 투자 기간은 2031년 10월까지다. 투자비에는 업무·복지 시설을 갖춘 지원동과 연구개발통합센터, 수처리·변전 시설 등 부대시설 건설 비용도 반영됐다.

용인에서는 첫 번째 팹인 Y1 건설이 진행 중이며, 내년 2월 첫 클린룸 가동이 목표다. SK하이닉스는 용인 클러스터 내 팹 4곳의 완공 시점을 기존 2045년에서 2033년으로 12년 앞당기기로 했다. 클러스터는 경기도 용인시 처인구 원삼면 일대 126만평, 약 416만5000㎡ 부지에 들어선다. Y2 투자는 이런 생산기지 조성 일정을 뒷받침한다.

M17은 연면적 20만6000평, 약 68만1000㎡ 규모의 낸드플래시 생산시설이다. 내년 2월 착공해 2028년 12월 첫 클린룸을 열며 투자는 2031년 4월까지 이어진다. 청주에는 M11·M12·M15와 전력·용수 인프라가 상당 부분 확보돼 있다. 회사는 생산 기반을 먼저 마련한 뒤 클린룸 증설과 장비 투입을 수요에 맞춰 단계적으로 진행할 계획이다. 옴디아는 지난해부터 2030년까지 D램과 낸드 수요가 각각 연평균 19% 성장할 것으로 전망했으며, SK하이닉스는 AI 확산으로 HBM과 기업용 SSD 중심의 수요가 늘어날 것으로 보고 있다.