삼성전자, 메모리·파운드리 결합 효과 부각
핵심 요약
메모리와 파운드리를 결합한 삼성전자의 풀스택 제조 역량이 중장기 경쟁 요소로 부각됐다. HBM4 베이스다이 내재화와 테슬라용 2나노 공급이 사업 확장의 계기로 지목됐다. HBM 경쟁력 회복과 메모리 가격 상승으로 DS 부문의 이익 체력이 높아질 것으로 전망됐다.
삼성전자가 메모리와 파운드리를 함께 운용하는 풀스택 제조 역량을 바탕으로 중장기 경쟁력을 강화할 수 있다는 분석이 11일 제기됐다. 미래에셋증권 김영건 연구원은 최근 주가 조정에도 영업 환경과 산업 전망에 뚜렷한 변화가 없다며, 현 주가 구간을 저점에서 비중을 늘릴 기회로 판단했다.
풀스택 전략의 가능성은 HBM4 베이스다이 내재화 과정에서 확인됐다는 평가다. 메모리와 로직을 결합한 제품을 넘어 단일 고객에게 서로 다른 제품을 턴키 방식으로 공급하는 영역까지 사업을 넓힐 잠재력도 거론됐다. 적자가 이어진 파운리는 테슬라에 공급할 2나노 제품을 발판으로 양산 역량과 공급 이력을 확보할 경우 최선단 공정 시장에서 점유율을 확대할 여지가 있는 것으로 분석됐다.
실적 개선의 중심축으로는 메모리가 지목됐다. 삼성전자 D램 평균판매가격은 올해 3분기와 4분기에 전 분기보다 각각 15%, 5% 오른 뒤 내년 1분기에는 22% 추가 상승할 것으로 전망됐다. 낸드 평균판매가격도 같은 기간 각각 15%, 5%, 13% 오를 것으로 예상됐다. 범용 제품의 가격 상승 속도는 완만해지더라도 HBM 가격이 전체 평균판매가격의 상승을 이끌 것이라는 판단이다.
HBM 경쟁력 회복과 메모리 가격 상승이 맞물리면서 반도체 사업의 이익 창출력도 당분간 높아질 것으로 관측됐다. 삼성전자 디바이스솔루션 부문의 올해 매출과 영업이익 추정치는 각각 533조5000억원과 383조5000억원이며, 내년에는 737조원과 540조3000억원으로 확대될 것으로 제시됐다. 영업이익률 전망치는 올해 71.9%, 내년 73.3%다.