삼성 V10 낸드·LPDDR5X-PIM, FMS 혁신상 석권

삼성전자가 세계 최대 메모리·스토리지 기술 콘퍼런스인 ‘FMS 2026’에서 차세대 낸드와 저전력 연산 메모리 기술로 2개 상을 받았다. 6일 열린 ‘FMS 어워즈’에서 V10 BV낸드는 ‘3D 낸드 혁신상’을, LPDDR5X-PIM은 ‘차세대 메모리상’을 각각 수상하며 기술 혁신성과 활용 가능성을 인정받았다.

V10 BV낸드는 400단이 넘는 초고적층 구조를 적용해 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있도록 설계된 차세대 V낸드다. 웨이퍼를 수직으로 접합하는 BV 기술과 V낸드 셀을 3개 층으로 나눠 연결하는 3스택 기술을 결합했다. 저장 밀도를 높이는 동시에 전력 소비와 발열을 줄여 성능과 운용 효율을 함께 개선한 점이 수상으로 이어졌다.

LPDDR5X-PIM은 삼성전자가 세계 최초로 LPDDR5X에 PIM 기술을 적용한 차세대 메모리 제품이다. 메모리 내부에서 데이터를 직접 연산한 뒤 필요한 결과만 프로세서로 보내 시스템 안의 데이터 이동을 최소화한다. 이를 통해 성능과 전력 효율을 동시에 높일 수 있으며, 저전력과 고성능이 필요한 AI 가속기와 HPC 분야에서 높은 활용도가 기대된다.

두 제품은 인공지능 확산으로 빠르게 늘어나는 데이터 저장 수요와 연산 효율 개선 요구에 각각 대응하는 기술이다. 삼성전자는 이번 수상을 계기로 AI 시대의 메모리 기술 리더십을 강화한다는 방침이다. 현지시간 6일까지 진행되는 FMS 2026에서는 차세대 메모리 로드맵과 AI 메모리 솔루션, 차세대 스토리지 기술을 전시하고 글로벌 고객과 업계에 미래 기술 비전을 제시한다.