삼성 HBM4 수율 80% 조기 안착…출하 확대 속도

삼성전자의 차세대 고대역폭메모리 HBM4 수율이 80%에 도달했다. 지난 2월 양산을 시작했을 당시 60%를 밑돌았던 수율이 약 6개월 만에 연말 목표 수준까지 오른 것이다. 공정 안정화가 예상보다 빠르게 이뤄지면서 삼성전자의 HBM4 생산과 공급 확대에도 속도가 붙게 됐다.

개선의 핵심은 HBM 생산의 약점으로 지목됐던 열압축 비전도성 필름(TC-NCF) 공정이다. TC-NCF는 여러 층으로 쌓은 메모리 칩 사이를 비전도성 필름으로 접합하는 기술로, 적층 수가 많아질수록 난도가 높아진다. HBM4 기반 칩인 1c D램 수율이 올해 초 이미 80%를 넘어선 점도 완제품 수율 상승을 뒷받침했다.

삼성전자는 3분기 HBM4 매출을 전 분기보다 3배 이상 늘리고, 하반기 전체 HBM 매출에서 HBM4 비중을 60% 이상으로 높일 계획이다. 연말에는 약 38%인 자사의 전체 D램 시장 점유율과 비슷한 수준까지 HBM 점유율을 끌어올리는 것을 목표로 삼았다. 고객 인증 진척과 출하 전망 상향으로 올해 삼성전자의 HBM4 점유율 전망도 높아진 반면, SK하이닉스는 인증 지연과 생산능력 전환으로 비중 축소가 예상된다. HBM4 노출이 제한적인 마이크론의 점유율은 비교적 안정적으로 유지될 전망이다.

AI 가속기 핵심 메모리인 HBM 시장은 엔비디아의 차세대 가속기 ‘베라 루빈’ 출시를 앞두고 경쟁이 거세지고 있다. 삼성전자의 공급 증가는 베라 루빈 생산 시기를 앞당길 요인으로 꼽히며, 대형 고객사의 복수 공급망 수요와도 맞물린다. 공급사들은 빠듯한 수급을 바탕으로 2027년까지 가격 협상력을 유지할 가능성이 크다. 2027년 HBM 비트 출하량이 전년보다 50~60% 늘어도 수요 증가에는 미치지 못할 전망이다. 경쟁 압력은 SK하이닉스 노사 협상에서도 나타났다. 노사는 전년 영업이익의 10%를 성과공유제 재원으로 쓰고 기본급 1,000% 상한을 없애기로 했지만, 올해 성과급 절반 이상을 매각 제한이 붙은 자사주로 지급하는 방안을 놓고 5차 협상에서도 합의하지 못했다.