난야·CXMT, AI D램 투자 확대…빅3 경쟁 압박
핵심 요약
난야가 2029년까지 약 15조2000억원을 투입하는 창사 최대 신공장 계획을 확정했다. CXMT는 기업공개 자금을 웨이퍼 생산라인 고도화와 차세대 D램 기술 개선에 배정했다. AI 서버용 수요를 둘러싼 빅3와 중국·대만 후발 업체의 기술·점유율 경쟁이 거세지고 있다.
대만 난야테크놀로지와 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 인공지능 서버용 D램 수요 확대에 맞춰 생산능력 확충에 속도를 내고 있다. 난야는 6일 기준 전날 열린 이사회에서 2029년까지 최대 3466억대만달러, 약 15조2000억원을 신규 공장에 투입하는 창사 이래 최대 규모의 계획을 확정했다. CXMT도 기업공개로 확보한 자금을 차세대 D램 생산라인에 배정하면서 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 중심의 시장 구도에 도전하고 있다.
난야는 올해 설비투자액도 520억대만달러에서 697억대만달러, 약 3조원으로 34% 늘렸다. 증액분은 신공장 장비 선급금과 첨단 공정, 연구개발에 사용된다. 신공장은 1단계에서 월 3만5900장의 웨이퍼 생산능력을 확보하고 극자외선 노광장비를 활용한 차세대 10나노급 D램 공정을 적용한다. 내년 하반기 웨이퍼 투입을 시작해 최종적으로 월 4만5000장 생산체제를 갖추는 것이 목표다.
CXMT는 기업공개로 최대 666억위안, 약 14조원을 조달했다. 이 가운데 75억위안은 메모리 웨이퍼 생산라인 고도화에, 130억위안은 차세대 D램 기술 개선 사업에 투입한다. 올해 2분기 D램 매출은 CXMT와 난야가 전년 동기보다 각각 716%, 690% 증가했다. CXMT는 범용 D램 증산을 바탕으로 시장점유율 7%를 기록해 세계 4위에 올랐고, 난야는 DDR과 LPDDR4·5 수요 증가에 힘입어 매출을 확대했다.
삼성전자와 SK하이닉스도 HBM4와 HBM4E를 중심으로 차세대 메모리 기술 강화와 증설을 추진하고 있다. 중국·대만 업체들은 선단 공정과 고대역폭메모리 분야에서 한국 업체와 기술 격차가 남아 있지만, 메모리 호황기에 생산 기반과 공정 전환 능력을 미리 확보하는 전략을 펴고 있다. AI 서버용 D램 수요가 이어지는 가운데 후발 업체까지 대규모 투자에 합류하면서 업황 고점 우려와 별개로 기술·점유율 경쟁과 증설 기조가 당분간 지속될 가능성이 커졌다.