난야, DDR4 호황 발판 삼아 첨단 D램 증설
핵심 요약
난야가 2029년까지 Fab 5A에 최대 약 15조원을 투자해 첨단 D램 생산을 확대한다. EUV 장비와 10나노급 공정을 도입하고 DDR5·LPDDR5 비중을 늘릴 계획이다. DDR4 가격 상승으로 확보한 재원을 성장 투자에 돌리지만 선두 업체와의 격차는 크다.
세계 D램 시장 점유율 1%대인 대만 난야테크놀로지가 첨단 제품 생산을 확대하기 위해 대만의 새 공장 ‘Fab 5A’에 2026년부터 2029년까지 최대 3466억대만달러, 약 15조원을 투입한다. 대만 D램 업계에서 약 20년 만에 나온 최대 규모의 단일 투자로, 시장 여건에 따라 총투자액은 최대 160억달러, 약 22조원까지 늘어날 수 있다.
Fab 5A에는 미세 회로 구현에 쓰이는 EUV 노광 장비와 10나노급 1b·1c·1d·1e 공정이 차례로 도입된다. 공장은 2027년 하반기 생산을 시작해 월간 웨이퍼 처리량을 2028년 3만장, 2029년 3만5900장으로 확대하고 이후 최대 4만5000장까지 늘릴 계획이다. 난야는 1c 공정을 시험 생산하는 동시에 다음 세대인 1d 공정을 개발하고 있다.
난야는 지금까지 DDR3·DDR4 등 이전 세대 제품을 주로 생산했지만, 전체 매출의 약 10%인 DDR5 비중을 키우고 스마트폰용 저전력 D램인 LPDDR5도 올해 하반기 고객사 인증에 들어간다. 다만 업체마다 1b·1c 등 공정 세대를 나누는 기준이 달라 같은 명칭이 동일한 기술 수준을 뜻하지는 않는다. 삼성전자와 SK하이닉스가 세계 1·2위를 다투고 마이크론과 중국 CXMT가 뒤를 잇는 시장에서 난야는 5위권에 머물러 있다.
투자 재원은 DDR4 가격 상승으로 개선된 실적에서 마련됐다. 선두 업체들이 DDR5와 HBM 생산을 늘리며 DDR4 공급을 줄인 가운데 PC·서버·산업용 기기 수요가 이어지면서 구형 제품 비중이 높은 난야가 수혜를 입었다. 7월 매출은 438억7000만대만달러, 약 2조원으로 전년 동기보다 719.6%, 전월보다 49.3% 증가해 최고치를 기록했다. 올해 설비투자 예산도 520억대만달러에서 697억대만달러로 34% 확대했지만, 점유율 격차를 좁히는 과제는 남아 있다.