TSMC 첨단 공정 증설 속도…연말 2·3나노 월 25만장

TSMC가 엔비디아·AMD·브로드컴의 주문과 인공지능(AI)·고성능컴퓨팅(HPC) 수요에 대응해 3나노 공정 생산을 확대한다. 올해 4분기 3나노 웨이퍼 월 생산량은 18만장에 이를 전망이다. 일부 5나노 장비 라인을 3나노용으로 전환하면서 목표 달성 시점도 당초 계획보다 2∼3개월 빨라질 것으로 예상된다.

대만 남부과학단지와 미국 애리조나의 3나노 공장은 각각 내년 상반기와 하반기 양산에 들어가며, 일본 구마모토 공장은 2028년 가동할 예정이다. 이들 생산시설이 순차적으로 합류하면 2028년 3나노 월 생산량은 22만∼25만장으로 늘어날 전망이다. 2나노 생산량은 올해 상반기 월 5만∼6만장에서 4분기 초 8만장, 연말 10만장으로 증가한 뒤 2028년 18만장에 이를 것으로 관측된다.

AI 반도체 수요처도 데이터센터에서 스마트폰과 휴머노이드 로봇으로 넓어지고 있다. 갤럭시 S26 시리즈에 탑재된 퀄컴의 ‘갤럭시용 스냅드래곤 8 엘리트 5세대’에는 TSMC의 3나노급 N3P 공정 칩이 채택됐다. TSMC와 대만 팹리스 글로벌 유니칩이 3나노 공정으로 추진하는 테슬라 차세대 AI 칩 A15의 테이프아웃 일정은 삼성전자보다 한 분기 앞선 것으로 파악됐다.

테슬라가 자체 설계한 AI 반도체 AI6.5는 TSMC 미국 애리조나 공장의 2나노 공정에서 생산될 예정이다. 연말 2나노와 3나노의 합계 월 생산량은 25만장, 2028년에는 40만장 이상으로 확대될 전망이다. TSMC는 2029∼2030년까지 수주 가시성을 확보한 가운데 연간 자본지출 전망을 기존 500억달러대에서 600억∼640억달러, 약 88조7000억∼94조6000억원으로 높였다.