SK하이닉스, AI 메모리 전 계층 연결 전략 공개

SK하이닉스가 HBM과 서버 D램, 낸드, SSD를 유기적으로 연결하는 계층형 메모리 전략으로 차세대 AI 인프라 시장 공략에 나섰다. 4일부터 6일까지 미국 캘리포니아 산타클라라에서 열린 ‘FMS 2026’에서 대규모 추론과 에이전틱 AI에 대응할 메모리 아키텍처와 제품군을 공개했다. 속도·용량·비용이 서로 다른 장치를 계층별로 배치해 데이터 이동을 줄이고 시스템 전반의 효율을 높이는 구상이다.

새로운 계층의 핵심 제품으로는 고대역폭플래시(HBF)를 제시했다. HBF는 HBM처럼 수직관통전극 기술을 적용해 스토리지의 대용량과 D램에 필적하는 고대역폭을 함께 구현하도록 설계한 차세대 낸드 솔루션이다. SK하이닉스는 HBF를 HBM과 SSD 사이에 배치해 AI 시스템의 확장성을 높이고 운영 비용을 낮출 계획이며, 주요 파트너사와 기술 개발 및 표준화 작업도 추진하고 있다.

전시장에는 웨이퍼 본딩을 처음 적용한 375단 4D 낸드도 등장했다. 이전 세대보다 전력 대비 성능을 2.5배 높인 제품으로, 고성능과 저전력이 동시에 필요한 AI 데이터센터를 겨냥했다. 이를 탑재한 고성능 기업용 SSD는 내년 상반기 양산할 예정이다. 데이터 입출력 성능과 고대역폭, 어댑티브 미디어 스토리지 등 데이터센터 특화 기능은 고객사와 협업해 제품화하기로 했다.

여러 CXL 메모리를 하나의 풀로 묶어 복수의 서버와 GPU가 공유하는 ‘Pooled Memory’ 기반 AI 에이전트 서비스도 시연했다. 기존 네트워크 통신 기반 시스템보다 서비스 성능을 높이는 기술이다. 행사에는 HBM4E 48GB 12단, HBM4 48GB 16단, HBM3E 36GB 12단과 SOCAMM2를 비롯해 서버 D램, eSSD, LPDDR, UFS도 전시됐다. AI 가속기부터 데이터센터와 엣지 기기까지 전체 사용 환경을 포괄하는 구성을 내세웠다.