SK하이닉스, AI 메모리 전 계층 기술 공개
핵심 요약
SK하이닉스가 FMS 2026에서 HBM부터 D램·낸드·eSSD까지 AI 메모리 전 계층의 제품을 공개했다. 375단 4D 낸드와 CXL 풀드 메모리 기술을 선보이고 글로벌 기업과의 협업 제품을 전시했다. 계층형 메모리 구조와 고대역폭플래시를 차세대 AI 인프라의 효율과 확장성을 높일 해법으로 제시했다.
SK하이닉스가 4일부터 6일까지 미국 캘리포니아 산타클래라 컨벤션센터에서 열린 ‘FMS 2026’에서 HBM과 서버용 D램, 낸드플래시, 기업용 SSD, 차세대 연결 기술을 아우르는 AI 메모리 포트폴리오를 공개했다. 전시 공간은 글로벌 기업과의 협업을 보여주는 파트너십존과 스마트 엣지, 차세대 기술 구역으로 구성됐다.
파트너십존에는 엔비디아의 차세대 AI 가속기 ‘베라 루빈’ 모형과 HBM4 실물 모형이 함께 배치됐다. HBM4E 12단과 HBM4 16단, SOCAMM2를 비롯해 델 AI 서버 R7625에 적용되는 64GB DDR5 RDIMM과 eSSD ‘PS1110 E3.S’도 전시됐다. 256GB DDR5 RDIMM, 128GB DDR5 MRDIMM과 PEB210·PS1101 계열 eSSD는 사양과 성능을 비교할 수 있도록 구성됐다.
스마트 엣지 구역에서는 이전 세대보다 전력 대비 성능을 2.5배 높인 375단 4D 낸드 웨이퍼가 공개됐다. 이 낸드를 기반으로 한 고성능 eSSD는 내년 상반기부터 본격 양산될 예정이다. LPDDR6와 LPDDR5·5X, UFS 5.0 등 모바일·PC용 저장 솔루션도 자율주행과 로봇을 포함한 피지컬 AI 제품군으로 소개됐다. 차세대 기술 구역에서는 CXL로 여러 메모리를 묶는 풀드 메모리 시연을 통해 AI 에이전트의 데이터 처리 효율을 제시했다.
김천성 솔루션개발부문장과 강욱성 차세대상품기획담당은 AI가 학습에서 추론과 에이전틱 AI로 확장되는 환경에서 HBM, D램, 낸드, SSD를 속도와 용량에 맞춰 연결하고 데이터 이동을 줄이는 계층형 메모리 구조를 제안했다. 행사 마지막 날에는 임의철 솔루션AT담당이 구글·샌디스크 관계자들과 HBM의 속도와 SSD의 용량을 결합한 고대역폭플래시(HBF)를 논의했다. 하드웨어와 소프트웨어를 함께 설계하는 방식도 HBF의 확장성과 운영비 절감을 위한 핵심 과제로 제시됐다.