SK하이닉스, AI 메모리 생산기지 확충에 54조원

SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터 2기 팹(Y2)과 청주 팹(M17) 건설에 총 54조3천억원을 투입한다. 7일 이사회에서 용인에 35조2천억원, 청주에 19조1천억원을 투자하기로 결정했다. AI 메모리 수요 증가와 공급 부족에 대응하기 위해 두 지역에 메모리 반도체 공장을 한 곳씩 우선 건설한다.

용인 2기 팹은 클러스터에 들어설 4개 공장 가운데 두 번째 시설로, 연면적 34만1천평 규모다. 내년 7월 착공해 2029년 6월 첫 클린룸을 완공하고 2031년 10월까지 투자를 이어간다. AI용 고대역폭메모리(HBM)를 포함한 차세대 D램 생산 거점으로 운영할 계획이다. 현재 공사 중인 용인 1기 팹(Y1)의 첫 클린룸은 내년 2월 문을 연다.

청주 팹은 낸드플래시메모리 생산기지인 청주캠퍼스에 연면적 20만6천평 규모로 조성된다. 내년 2월 착공해 2028년 12월 첫 클린룸을 열고, 투자금은 2031년 4월까지 단계적으로 집행한다. 새 시설은 기존 낸드 공장인 M11·M12·M15와 함께 청주의 신규 낸드플래시메모리 생산 거점 역할을 맡게 된다.

이번 결정은 지난 6월 29일 공개한 약 1100조원 규모의 중장기 투자 전략을 구체화한 후속 조치다. 투자 계획은 용인 반도체 클러스터에 약 600조원, 청주 생산기지에 약 100조원, 전남·광주를 포함한 서남권 클러스터에 약 400조원을 배정해 메모리 생산시설을 늘리는 내용이다. SK하이닉스는 당초 2045년이던 용인 클러스터 4개 팹의 완공 목표를 2033년으로 12년 앞당기고, 생산 기반을 선제적으로 확보해 글로벌 AI 반도체 공급망 안정에 기여한다는 방침이다.