CXMT, 4F² 기술 앞세워 서버 메모리 시장 진입 추진
핵심 요약
CXMT가 4F² 기술을 적용한 서버용 DDR5 RDIMM을 올해 말까지 출시할 계획이다. 4F² 구조는 기존 6F² 대비 셀 면적을 약 33% 줄일 수 있으며, CXMT는 VSG 기술과 관련 특허군 300건 이상을 공개했다. 국내 업체도 관련 기술을 개발 중이며, CXMT의 대량 생산과 고객사 공급은 수율 및 신뢰성·호환성 검증에 달려 있다.
중국 메모리 업체 창신메모리(CXMT)가 차세대 D램 구조인 4F² 기술을 적용한 서버용 DDR5 RDIMM을 올해 말까지 출시하겠다고 밝혔다. 차오칸위 CXMT 총재는 지난 10일 상하이에서 열린 제4회 집적회로·칩렛 대회에서 기술 개발 성과를 공개했다. 이번 계획은 스마트폰·소비자용 제품 중심이던 사업을 서버 메모리로 넓히려는 움직임이다.
4F²는 반도체 공정의 최소 선폭을 뜻하는 F를 기준으로 D램 셀의 면적을 나타내는 구조다. 업계의 기존 6F² 구조와 비교하면 같은 선폭에서 셀 면적을 약 33% 줄일 수 있어, 동일한 칩 크기에 더 많은 데이터를 담는 데 유리하다. CXMT는 게이트가 트랜지스터 채널을 수직으로 감싸는 자체 수직서라운드게이트(VSG) 기술로 셀 면적 축소에 따른 누설 전류 문제를 개선한다고 설명했으며, 관련 공개 특허군 300건 이상을 확보했다고 밝혔다.
DDR5 RDIMM은 데이터센터와 기업용 서버에 쓰이는 메모리 모듈로, 장시간 작동에 필요한 신뢰성과 안정성이 요구된다. 현재 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론이 주요 공급업체다. 올해 2분기 글로벌 D램 매출 점유율은 삼성전자 39.4%, SK하이닉스 24.9%, 마이크론 23.3%였고 CXMT는 9.5%로 4위였다. CXMT의 제품 출시는 이 경쟁 구도에 도전하는 시도로 볼 수 있다.
4F²는 국내 업체들도 개발 중이다. 삼성전자는 지난 2월 ISSCC 2026에서 4F² 구조와 웨이퍼 간 하이브리드 본딩을 적용한 16Gb D램 시제품의 연구 결과를 발표했고, 데이터 읽기와 쓰기를 구현했다. SK하이닉스는 지난해 6월 VLSI 2025에서 4F² 수직 게이트 구조와 3D D램을 차세대 방향으로 제시했다. CXMT가 연내 제품을 내더라도 대량 생산과 고객 공급에는 수율 확보와 서버용 신뢰성·호환성 검증이 필요하다.