CXMT, 4F² 기반 서버 D램 연내 출시 추진

중국 메모리업체 창신메모리(CXMT)가 차세대 D램 아키텍처 ‘4F²’ 기술 진전을 공개하고, 이를 활용한 서버용 DDR5 RDIMM을 올해 말까지 출시하겠다는 계획을 밝혔다. 가전제품 중심이던 사업 영역을 서버 메모리로 넓혀 삼성전자와 SK하이닉스 등이 앞서온 시장에 진입하려는 움직임이다.

CXMT 차오칸위 총재는 최근 행사에서 자체 개발한 VSG 트랜지스터가 채널을 수직으로 둘러싸는 구조를 적용했다고 설명했다. 이 방식은 누설 전류 문제를 개선하고 메모리 집적도를 높이는 것을 목표로 한다. 차오 총재는 회사가 4F² 아키텍처와 관련한 특허를 다수 보유하고 있다고 밝혔다.

반도체 업계에서 F는 포토리소그래피 공정으로 구현하는 최소 선폭을 가리키며, 4F²은 메모리 셀 하나의 면적이 F 제곱의 네 배라는 뜻이다. 현재 D램 업계의 주류는 6F² 아키텍처로, 4F²으로 전환하면 같은 면적에 더 많은 트랜지스터를 배치해 집적도를 높일 수 있다. 서버용 메모리 시장은 삼성전자·SK하이닉스·마이크론이 강세를 보여왔다.

업계에서는 주요 메모리 업체들이 4F² 또는 유사한 3차원 D램 로드맵을 추진하고 있지만 아직 대규모 상업화에는 이르지 못한 것으로 평가한다. SK하이닉스는 지난해 4F² 관련 로드맵을 공개했다. CXMT는 지난 7월 기업공개로 최대 666억1천만 위안(약 13조2천억원)을 조달했고, 8월 LPDDR6 양산을 공식화한 데 이어 지난달 5세대 D램 공정 양산에 들어갔다고 밝혔다. 연말 제품 출시가 계획대로 이뤄지면 서버 메모리 시장에서 중국 업체의 기술·사업 확장 여부를 가늠할 계기가 될 전망이다.