AI 에이전트 겨냥한 SK하이닉스의 메모리 청사진
핵심 요약
SK하이닉스가 FMS 2026에서 AI용 계층형 메모리 전략을 공개했다. HBM·HBF·서버 D램·eSSD·CXL을 연결해 데이터 이동과 처리 효율을 개선하는 구상이다. 375단 4D 낸드 기반 고성능 eSSD는 내년 상반기 양산할 계획이다.
SK하이닉스가 4일부터 6일까지 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열린 FMS 2026에서 인공지능 인프라 전반을 연결하는 계층형 메모리 전략을 공개했다. HBM과 HBF를 비롯해 서버용 D램, eSSD, CXL 제품을 함께 선보이며 AI가 학습에서 대규모 추론과 에이전트로 확장되는 환경에 대응할 기술 구성을 제시했다.
행사 첫날 김천성 솔루션개발 부문장과 강욱성 차세대상품기획 담당은 공동 기조연설에서 성능·용량·비용 효율을 단일 제품만으로 충족하기 어려운 상황을 짚었다. 해법으로 HBM, D램, 낸드 기반 HBF, SSD를 유기적으로 연결하고 데이터 이동을 줄이는 아키텍처를 내놨다. SK하이닉스는 사흘 동안 공동 발표 2건을 포함해 12개 세션을 진행했다.
HBF는 낸드플래시를 수직 적층하고 칩 사이를 TSV로 연결해 처리 속도를 높이는 차세대 메모리로, HBM의 속도와 SSD의 용량을 결합한 새 계층으로 개발되고 있다. 행사 마지막 날 임의철 솔루션AT 담당은 구글·샌디스크 관계자들과 HBF의 개발 방향과 기술 가능성을 논의했다. 올해 행사에는 전문가 350여 명이 참여했고 관람객은 사흘간 3500명을 넘었다.
전시 제품에는 HBM4E와 HBM3E, 저전력 서버 모듈 SOCAMM2, 서버용 D램과 eSSD가 포함됐다. 웨이퍼 본딩을 처음 적용해 이전 세대보다 전력 대비 성능을 2.5배 높인 375단 4D 낸드 웨이퍼와 1Tb TLC도 공개했으며, 이를 탑재한 고성능 eSSD는 내년 상반기 양산할 계획이다. 여러 서버와 GPU가 KV 캐시를 공유·재사용하는 CXL 기술과 전체 캐시는 SSD에 저장하되 필요한 데이터만 D램으로 미리 옮기는 CMM-하이브리드도 시연했다.