AI 가속기 위로 메모리 쌓는다…삼성 3D 청사진
핵심 요약
삼성전자가 FMS 2026에서 zHBM과 zNAND-O의 목업을 업계 최초로 공개했다. V10 BV-NAND는 400단 이상 적층과 신기술 적용으로 V9보다 집적도를 약 58% 높였다. 메모리와 프로세서 간 거리를 줄이는 3D 구조로 AI용 성능과 전력 효율을 강화한다.
삼성전자가 4~6일 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 FMS 2026에서 차세대 3D 메모리 구조인 zHBM과 zNAND-O의 목업을 업계 최초로 공개했다. 400단을 넘는 10세대 V10 BV-NAND도 처음 선보였으며, AI 클라우드 서버 형태의 전시 공간에 D램과 낸드플래시, 스토리지 제품 약 30종을 배치했다.
zHBM은 AI 가속기 옆에 두던 HBM을 가속기 위에 수직 적층해 데이터 이동 거리를 줄이는 구조다. 차세대 인터페이스 시스템은 HBM5 대비 성능을 최대 8배, 전력 효율을 최대 3배 높이고 열 저항은 절반 이하로 낮추는 것을 목표로 한다. 하이브리드 구리 본딩과 멀티 웨이퍼 본딩을 적용하며, 인터레이어에 고객이 원하는 기능을 넣어 용량과 가속기 성능을 조정할 수 있다.
zNAND-O는 수직 적층과 실리콘관통전극을 결합해 칩 4단 또는 8단을 하나로 쌓은 온디바이스 AI용 저장장치다. 스마트폰과 PC 내부에서 AI를 구동할 때 필요한 성능과 전력 효율을 제한된 공간에서 확보하도록 설계됐다. V10 BV-NAND는 웨이퍼 본딩과 3-스택 기술로 셀을 400층 이상 쌓아 V9보다 집적도를 약 58% 높였고 읽기·쓰기 및 입출력 속도도 개선했다.
삼성전자는 올해 2월 양산 출하한 HBM4와 함께 HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM, 기업용 SSD PM1763·BM1773도 전시했다. HBM5에는 2나노 기반 베이스다이와 HPB 열관리 기술이 적용될 예정이며, LPDDR5X-PIM은 메모리 내부 연산으로 데이터 이동을 줄인다. AI 칩당 HBM 용량은 올해 200GB를 넘어 내년 400GB에 가까워지고, 낸드 시장의 eSSD 비중은 올해 1분기 43%에서 연말 60% 이상으로 확대될 전망이다. 삼성전자는 메모리·로직·파운드리·첨단 패키징을 아우르는 통합 역량을 앞세워 고객사와 공동 개발을 추진한다.