AI 메모리 경쟁 가속…삼성·SK, 신기술 전면 배치

삼성전자와 SK하이닉스가 4일(현지시각) 미국 캘리포니아주 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린 ‘메모리와 저장 장치의 미래(FMS) 2026’에서 차세대 메모리 제품과 기술을 공개했다. 국내 기업들의 투자 확대를 바탕으로 한국이 2031년까지 세계 메모리 시장의 선두를 유지할 것이라는 전망도 행사 현장에서 제시됐다.

김경륜 삼성전자 D램개발실 상무는 기조연설에서 3차원 메모리 ‘zHBM’ 시제품을 처음 선보이며 “삼성이 돌아왔다”고 말했다. 인공지능 가속기인 xPU 옆에 HBM을 평면 배치하는 기존 방식과 달리, 가속기 위에 메모리 칩을 수직으로 쌓아 데이터 이동 거리를 줄인 구조다. 삼성전자는 데이터 전송 속도와 전력 효율을 높여 8세대 HBM인 HBM5보다 최대 8배 높은 성능을 구현할 수 있다고 설명했다.

삼성전자는 행사장에 약 20평 규모의 전시 공간을 마련하고 온디바이스 인공지능용 고성능 낸드플래시 ‘zNAND-O’ 모형과 400단 이상을 쌓은 ‘10세대 V낸드’ 제품도 공개했다. 두 제품 모두 대규모 데이터를 처리하는 인공지능 환경에 맞춰 읽기와 쓰기 성능을 강화했다. 행사에는 마이크론과 샌디스크, AMD, IBM, 키옥시아 등 미국과 일본의 반도체·정보기술 기업들도 참여했다.

SK하이닉스는 별도 전시관에서 샌디스크와 공동 개발한 인공지능 메모리 고대역폭플래시(HBF)의 표준 규격을 최초 공개했다. HBM처럼 낸드플래시를 8단 또는 16단으로 쌓아 용량을 늘린 기술로, 인공지능 추론 확산에 따른 데이터 급증에 대응하도록 설계됐다. 욜그룹의 조지핀 라우 분석가는 한국 정부의 5년 내 메모리 생산능력 2배 확대 계획과 국내 기업의 투자를 근거로 2031년까지 한국의 우위를 내다봤다. 인공지능 시장의 중심이 학습에서 추론으로 이동하면서 메모리 신제품 개발 주기도 18개월에서 12개월로 단축됐다고 진단했다.