400단 V낸드·연산 D램, FMS서 기술상
핵심 요약
삼성전자가 FMS 2026 기간 열린 시상식에서 메모리 기술 2개 부문을 수상했다. 400단 이상 V10 BV-낸드와 연산 기능을 내장한 LPDDR5X-PIM이 각각 기술력을 인정받았다. 삼성전자는 행사에서 차세대 메모리 로드맵과 AI 메모리·스토리지 기술을 공개한다.
삼성전자가 세계적 메모리 기술 콘퍼런스인 ‘FMS 2026’ 기간에 열린 ‘FMS 어워드’에서 차세대 메모리 기술로 2개 부문을 수상했다고 6일 밝혔다. 400단 이상 적층한 ‘V10 BV-낸드’가 3D 낸드 혁신상을 받았고, 메모리 내부 연산 기능을 갖춘 ‘LPDDR5X-PIM’은 차세대 메모리상에 선정됐다.
V10 BV-낸드는 웨이퍼를 수직으로 접합하는 본딩 버티컬 기술과 V낸드 셀을 3개 층으로 잇는 3-스택 구조를 적용한 차세대 V낸드 기술이다. 400단을 넘는 초고적층 구조를 바탕으로 저장 용량을 확대하면서 전력 소비와 발열을 낮춘 점이 주요 특징으로 제시됐다.
LPDDR5X-PIM은 저전력 D램인 LPDDR5X에 PIM, 즉 프로세싱 인 메모리 기술을 세계 최초로 적용한 차세대 제품이다. 데이터가 메모리와 연산 장치 사이를 오가는 과정을 줄이기 위해 메모리 내부에서 직접 연산하도록 설계했으며, 이를 통해 성능과 전력 효율을 함께 높였다. AI 가속기와 고성능컴퓨팅 분야에 활용될 핵심 기술로 평가받았다.
이번 수상은 초고적층 낸드를 통한 저장 용량 확대와 메모리 내부 연산을 통한 데이터 이동 축소라는 서로 다른 기술 방향이 각각 인정받은 결과다. 삼성전자는 현지시간 6일까지 이어지는 FMS 2026에서 차세대 메모리 로드맵을 비롯해 AI 메모리 설루션과 차세대 스토리지 기술을 선보일 예정이다.