삼성, 2030년 1나노에 High-NA EUV 도입 추진

삼성전자가 이르면 2030년 상용화할 1나노미터 공정에 차세대 노광 기술인 고개구율(High-NA) 극자외선(EUV)을 양산 적용한다. 박창민 삼성전자 마스터는 11일 경기 수원컨벤션센터에서 열린 ‘2026 차세대 리소그래피+패터닝 학술대회’에서 이 같은 노광 기술 로드맵을 공개했다. 삼성전자는 현재 상용화에 필요한 기술을 개발하고 협력사들과 공동 작업을 진행하고 있다.

High-NA EUV는 빛을 모으는 능력을 나타내는 렌즈 개구수(NA)를 기존 0.33에서 0.55로 높인 기술이다. 개구수가 커지면 해상력이 향상돼 더 미세한 회로를 구현하기 쉬워진다. 기존 EUV에서 여러 차례 노광해야 했던 초미세 공정도 한 차례 패터닝으로 처리할 수 있어 제조비용과 생산성 측면에서 유리하며, 회로 설계의 자유도도 높일 수 있다.

삼성전자는 8나노 이하 첨단 파운드리 공정부터 EUV를 양산에 활용해 왔다. EUV의 파장은 13.5나노미터로 불화아르곤(ArF)의 13분의 1 수준이어서 ArF 노광보다 패터닝 횟수를 줄일 수 있다. 현재 2나노 공정까지 상용화했으며 2029년 1.4나노 공정인 SF1.4, 2030년에는 개선형 SF1.4+와 1나노 공정 양산을 계획하고 있다. 1나노를 뜻하는 A10의 A는 0.1나노 단위인 옹스트롬을 가리킨다.

삼성전자는 당초 2나노와 1.4나노 단계에서 High-NA EUV를 적용하는 방안도 검토했지만 기술적 보완이 더 필요하다고 판단했다. 1.4나노와 1나노까지는 0.33 NA EUV 기반 멀티 패터닝을 주력으로 운용하고, A10 이하 차세대 공정부터 High-NA 패터닝의 비중을 높일 방침이다. 설비 가격과 기술 난도가 높고 마스크·펠리클 등 소재 기술도 함께 고도화해야 하는 만큼, 향후 공정에서는 기존 EUV 멀티 패터닝과 High-NA 싱글 패터닝이 병행될 가능성이 크다.